寒武紀(jì) AI 芯片對(duì)比 GPU 具有G效能, 低成本, 低耗能核心競(jìng)爭(zhēng)力：1. 低精度定點(diǎn)運(yùn)算的優(yōu)勢(shì)；2. AI 推理的優(yōu)勢(shì)； 3. 算法演進(jìn)可透過軟硬件修改的優(yōu)勢(shì)； 4. 運(yùn)算單元芯片面積較小，卻有 2 倍以上G效能，50%低耗能優(yōu)勢(shì)。
彎道超車的機(jī)會(huì)：美國(guó)商務(wù)部于 2020年 5 月 15 日宣布限制海思在使用美國(guó)半導(dǎo)體 EDA 及設(shè)備技術(shù)來生產(chǎn)半導(dǎo)體, 需要取得執(zhí)照，但我們認(rèn)為海思昇騰AI要申請(qǐng)得到執(zhí)照有難度，這給了寒武紀(jì)一個(gè)J佳機(jī)會(huì)來彎道超車的機(jī)會(huì)。
附件：寒武紀(jì)(688256)：從端芯片到云系統(tǒng)的一站式AI龍頭
布局 8 英寸單晶硅拋光片，2020 年起量產(chǎn)，神工股份募投項(xiàng)目新增年產(chǎn) 180萬片8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片以及36萬片半導(dǎo)體級(jí)硅單晶陪片，2020年將實(shí)現(xiàn)8,000 片/月的生產(chǎn)規(guī)模
華峰測(cè)控主營(yíng)業(yè)務(wù)為模擬及混合信號(hào)類集成電路測(cè)試系統(tǒng)，在 V/I 源、精密電壓電流測(cè)量、寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試和智能功率模塊測(cè)試四個(gè)關(guān)鍵方面擁有先進(jìn)的核心技術(shù)
EEPROM 受疫情影響智能手機(jī)出貨量，收入端同比倒退，由于供給端競(jìng)爭(zhēng)格局加劇，我們預(yù)計(jì)價(jià)格有一定壓力，拖累EEPROM 業(yè)務(wù)整體收入倒退 6.5%至 4.2 億元
公司是多媒體智能終端芯片L航者，隨著客戶持續(xù)開拓以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，公司產(chǎn)品市場(chǎng)份額有望加速提升，8K超G清電視芯片技術(shù)持續(xù)突破，未來公司份額和市場(chǎng)地位有望加速提升
芯源微是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備稀缺供應(yīng)商，在 LED 芯片制造及集成電路后道先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代， 公司作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備稀缺標(biāo)的，產(chǎn)品和技術(shù)實(shí)力強(qiáng)勁
國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)G端集成電路 CMP 拋光液量產(chǎn)的G新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包括不同系列的 CMP 拋光液和光刻膠去除劑，以G端半導(dǎo)體晶圓制造為突破口，并不斷向G端封裝等表面處理材料延伸
中微公司CCP電容式刻蝕機(jī)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平7nm/5nm，在存儲(chǔ)器中64層3D NAND已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，128層3D NAND穩(wěn)步推進(jìn)引L國(guó)內(nèi)大規(guī)模進(jìn)口替代，ICP電感式突破至1Xnm，未來有望導(dǎo)入產(chǎn)線加大應(yīng)用
已前瞻布局服務(wù)器 CPU 芯片（聯(lián)合英特爾等）、混合安全內(nèi)存模組、服務(wù)器平臺(tái)、AI 芯片、PCIe retimer 等市場(chǎng)空間巨大的新產(chǎn)品
科創(chuàng)板已上市的半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)共70家,約占科創(chuàng)板上市公司數(shù)量的16.0%,總市值達(dá)1.70萬億元,約占科創(chuàng)板總市值的30.4%,39家科創(chuàng)板上市芯片設(shè)計(jì)企業(yè)
瀾起科技 復(fù)旦微電子 格科微 納芯微 瑞芯微 凈晨股份 龍芯中科 思瑞浦 翱捷科技 安路科技 寒武紀(jì) 斯特威 愛微電子 長(zhǎng)光華芯 恒玄科技 東芯股份
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